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PRODUCT / 製品紹介

レーザーはんだ付けシステム MLU-808FS

微細な部品、狭ピッチで隣接する部品などの接合に適したハイスペックのマイクロレーザーはんだ付けシステムです。

  • J-CAT300 MLU-808FS

    卓上レーザーはんだ付け装置
    J-CAT330 MLU-808FS

  • 温度制御装置TCU-1000(オプション)

    温度制御装置 TCU-1000
    (オプション)

  • スリットビーム機構(オプション)

    通常は円形のみとなるレーザービーム形状が、独自のスリット(金属に穴が開いた板)により、あらゆるレーザービーム形状を可能にします。部品に合わせたレーザーの照射形状が設定できます。

    光学技術による微細レーザー

    スリットビーム機構により自由なレーザービーム形状と様々なレーザービーム径を実現します。

    • 長方形レーザービーム

      0.25×0.75mm

    • ツインレーザービーム

      Φ0.2×2個

    • 正方形レーザービーム

      0.8×0.8mm

    • 円形レーザービーム

      Φ1.0mm

    • 円形レーザービーム

      Φ0.5mm

    • 円形レーザービーム

      Φ0.05mm

  • 温度制御装置 TCU-1000(※MLU-808 FS限定オプション)

    非接触式の放射温度計にて、はんだ付け部(最小φ0.25mm)の温度をリアルタイムで測定します。
    また、その温度データをレーザーコントローラーにフィードバックすることで、レーザパワーを温度で制御することが可能になります。はんだ付けの予期せぬ温度上昇を防止し、はんだ付けを温度で管理することで安定した高品質のはんだ付けを実現します。
    レーザーを照射する相手側の条件が個々で違う場合など従来のレーザーはんだ付けでは解決することが難しかったはんだ付けを可能にします。

    温度制御機能(オプション)
  • 様々なレンズ

    レーザービームを形成するレンズは、大きく分けて「入力レンズ」と「出力レンズ」に分けられます。
    豊富なレンズの組み合わせから、レーザビーム径の種類は100種類を超えます。

    容易な位置決めとプログラム設定

製品仕様

レーザーユニット比較

  MLU-808FS
種別 半導体レーザー
発振 CW(連続発振)
LDタイプ ファイバーカップリング
光源出力 50W
波長
808nm 980nm
パイロットレーザー
ハレーション防止
LD冷却方式 電子冷却
同軸観察機能
ファイバーコア径 φ200μm / φ400μm
ファイバー長 3m
集光ビーム径 φ50μm ~ 8000μm
焦点距離 10 ㎜ ~ 200 ㎜
集光ビーム形状 円形/矩形/自由形状(OPのスリットビーム機構使用時)
温度制御機能 対応可
パラメーター制御 時間 設定分解能 0.1sec / 0.01sec
STEP 数 1~100 STEP
時間設定 1 STEP = 0.1sec
(Max: 0.1sec × 100STEP = 10sec)
電流制御 設定分解能 0.1A
登録波形数 16
インターフェース 入力端子台 ×1
Sig. OUT (BNC) ×1
CURR. MONI (BNC) ×1
RS232 ×1
アナログ入力(0~5V) ×1
外形寸法
W x D x H
レーザーヘッド 160.5 x 114 x 366 (最大寸法)
レーザー発振ユニット 270 x 260 x 230 mm
レーザーコントローラー 430 x 350 x 149 mm
重量 レーザーヘッド 約1㎏
レーザー発振ユニット 約6.5㎏
レーザーコントローラー 約16㎏
入力電源 単相AC100V または
AC220V±10% 50/60Hz

製品外形図ダウンロード

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レーザーはんだ付けの原理

レーザー光をレンズまたは、ミラーで集光すると、高パワー密度、高エネルギー密度の熱源になります。
その集光点(レーザービーム径)を加熱したい対象物に当てることで、対象物が加熱されます。
対象物の加熱温度はレーザー光の入射側の条件(レーザーパワー/レーザーエネルギー/波長)と加熱したい対象物の放射率(吸収率)や熱容量・比熱などの様々な条件の組み合わせにより決定されます。
レーザー照射による対象物の加熱プロセスにおいて、一番の特長は材質の放射率(材質によって異なる)により温度が異なる点です。
はんだ付けは多くの場合、二つの部品をはんだにて繋げることが目的であるため、その二つの部品の加熱温度が均等でないとはんだの濡れ広がる範囲も均等になりません。つまり、異なる材料同士をはんだ付けする場合、上記で述べたような加熱に大きくかかわる要因を考慮し異なる材料同士の加熱温度が均等するよう、レーザービームの形状や照射位置などを最適化することが重要になります。

レーザーはんだ付けの基本プロセス

レーザーはんだ付けのプロセスの多くは、使用するはんだの種類に応じて異なります。
糸はんだ供給の場合、予めはんだ付けしたい箇所(多くは電極部)へレーザー照射(事前加熱)を行い、糸はんだがはんだ付け箇所へ接触した際に、抵抗なく濡れ広がらせることが重要になります。
ペーストはんだの場合は、はんだ付けしたい箇所へペーストはんだが事前に塗布されているため、はんだ供給までの事前加熱はできません。よって、徐々にレーザーパワーを高める加熱プロセスが用いられます。この徐々に加熱するというプロセスは、ペーストはんだの飛散防止にも有効になります。



予熱->はんだ送り->加熱->はんだ戻し->完了

レーザーはんだ付けの特徴

  • 基板と微細ケーブル
  • カメラモジュール 
  • 狭所のはんだ付け

1.消耗品レス
レーザーは非接触なため、直接的に摩耗・酸化する消耗部品がありません。
低ランニングコストは、レーザーはんだ付け導入の特長の一つです。

2.メンテナンスが容易
消耗品が少ないため、基本的に頻繁にメンテナンスを行う必要がありません。
定期クリーニングは、フラックスヒュームやはんだの飛散により、レンズ先端にある保護カバーが汚れたときのみです。

3.狭所・微細な加熱
鋭いレーザー照射角度のレーザービームが可能なため、隣接する部品が狭く、奥まった箇所のはんだ付けに適しています。